年末产能翻倍！存储龙头拟扩产AI芯片“标配”刚获英伟达下一代样品请求

业内人士表示，扩产焦点在于HBM3，SK海力士正在准备投资后段工艺设备，将扩建封装HBM3的利川工厂。预计到今年年末，后段工艺设备规模将增加近一倍。

据台湾电子时报援引韩媒报道称，由于AI半导体需求增加，存储龙头之一的SK海力士正在扩建HBM产线，计划将HBM产能翻倍。

业内人士表示，扩产焦点在于HBM3，SK海力士正在准备投资后段工艺设备，将扩建封装HBM3的利川工厂。预计到今年年末，后段工艺设备规模将增加近一倍。

值得一提的是，SK海力士在去年6月已率先量产了DRAM HBM3，且已供货英伟达的H100。

另据Business Korea报道显示，英伟达已要求SK 海力士提供HBM3E样品，后者正在准备出货样品。

HBM3E是DRAM HBM3的下一代产品。目前，SK海力士正在开发HBM3E，目标明年上半年量产。通常在产品开发完成后，样品会提供给客户进行认证。SK hynix副总裁Park Myung-soo今年4月曾透露，公司正在准备下半年的8Gbps HBM3E产品样品。

之前在半导体寒冬中，SK海力士已决定缩减今年设备投资规模。但即便是在这种情况下，公司也没有放弃热门产品的机会。在今年Q1业绩说明会上，SK海力士表示，今年投资将同比减少50%，公司将执行投资DDR5、LPDDR5、HBM3等产品生产，以应对下半年及明年的需求增长。

▌主流AI训练芯片“标配” HBM或迎量价齐升

2023年开年后三星、SK海力士的HBM订单快速增加，之前另有消息称HBM3较DRAM价格上涨5倍。

随着AI技术不断发展，AI训练、推理所需计算量呈指数级增长，2012年至今计算量已扩大30万倍。处理AI大模型的海量数据，需要宽广的传输“高速公路”即带宽来吞吐数据。

HBM通过垂直连接多个DRAM，显著提高数据处理速度。它们与CPU、GPU协同工作，可以极大提高服务器性能。其带宽相比DRAM大幅提升，例如SK海力士的HBM3产品带宽高达819GB/s。同时，得益于TSV技术，HBM的芯片面积较GDDR大幅节省。

国盛证券指出，HBM最适用于AI训练、推理的存储芯片。受AI服务器增长拉动，HBM需求有望在2027年增长至超过6000万片。Omdia则预计，2025年HBM市场规模可达25亿美元。

广发证券也补充称，HBM方案目前已演进为高性能计算领域扩展高带宽的主流方案，并逐渐成为主流AI训练芯片的标配。

分析师进一步飙升，AIGC时代为HBM带来的需求增量主要体现在两方面:

一方面，单颗GPU需要配置的单个HBM的Die层数增加、HBM个数增加；另一方面，大模型训练需求提升拉动对AI服务器和AI芯片需求，HBM在2023年将需求明显增加，价格也随之提升。

韩国证券分析师认为，在HBM3、DDR5带动下，存储芯片价格将在下半年出现反弹。

A股中， 雅克科技 为电子材料平台型公司，是SK海力士前驱体核心供应商。另外，分析师建议关注 深科技(行情000021,诊股) 、 太极实业(行情600667,诊股) 、 长电科技(行情600584,诊股) 及 通富微电(行情002156,诊股) 。