最近几天，长信存储科技有限公司公布了多项专利，其中一项名为半导体光刻补偿方法，公布号为CN114675505A。
本专利显示，本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体光刻补偿方法，包括:通过机器组合对晶圆进行光刻，所述机器组合至少包括第一机器和第二机器，用第一机器光刻得到第一曝光结构，获取第一曝光结构的套印误差的第一测量值，根据第一测量值，补偿第二机器的初始卸载值在半导体结构的制造过程中，通过测量第一机器形成的第一曝光结构的套印误差，可以使用第一测量值来补偿第二机器的初始库存值，从而获得第二机器的最佳库存值第二台机器进行光刻时，第二台机器按照其最优库存值进行光刻，有利于保证后续第二台机器形成的曝光结构套印误差的准确性，从而减少返工次数
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